поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



IGBT датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'IGBT' - итог: 287 (1/15) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
ON Semiconductor
NGTB45N60SWG Datasheet pdf image
142Kb/10P
IGBT
May, 2014 ??Rev. 0
NGTB60N60SWG Datasheet pdf image
101Kb/7P
IGBT
July, 2014 ??Rev. 0
NGTB40N60L2WG Datasheet pdf image
97Kb/8P
IGBT
January, 2016 ??Rev. 2
NGTB75N65FL2WG Datasheet pdf image
245Kb/11P
IGBT
September, 2016 ??Rev. 5
NGTB40N120IHLWG Datasheet pdf image
162Kb/8P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0
NGTB40N120LWG Datasheet pdf image
177Kb/9P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0
NGTB25N120FLWG Datasheet pdf image
188Kb/10P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0
NGTB30N120IHLWG Datasheet pdf image
162Kb/8P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0
NGTB20N120IHSWG Datasheet pdf image
184Kb/9P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0
NGTB40N60L2WG Datasheet pdf image
97Kb/8P
IGBT
July, 2015 ??Rev. 1
NGTB75N60FL2WG Datasheet pdf image
246Kb/11P
IGBT
June, 2015 ??Rev. 4
NGTB40N120FLWG Datasheet pdf image
190Kb/10P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0
NGTB25N120LWG Datasheet pdf image
179Kb/9P
IGBT
August, 2012 ??Rev. 4
NGTB15N120IHWG Datasheet pdf image
127Kb/9P
IGBT
September, 2014 ??Rev. P0
NGTB30N65IHL2WG Datasheet pdf image
97Kb/7P
IGBT
June, 2014 ??Rev. 0
NGTB50N60SWG Datasheet pdf image
142Kb/10P
IGBT
May, 2014 ??Rev. 0
NGTB40N65IHL2WG Datasheet pdf image
181Kb/9P
IGBT
May, 2015 ??Rev. 1
NGTB75N65FL2WG Datasheet pdf image
246Kb/11P
IGBT
June, 2015 ??Rev. 4
NGTB40N60FLWG Datasheet pdf image
247Kb/9P
IGBT
July, 2013 ??Rev. 0
NGTB15N120FLWG Datasheet pdf image
186Kb/10P
IGBT
September, 2012 ??Rev. 0

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Что такое IGBT


Биполярный транзистор с изолированным воротом (IGBT)-это тип мощного полупроводникового устройства, используемого для контроля высоковольтных, высокоточных применений, таких как в расходных материалах, двигательные диски и инверторы. Он сочетает в себе быструю скорость переключения транзистора биполярного соединения (BJT) с контролируемым напряжением затвор металлического оксидного транзистора поля (MOSFET).

IGBT работает с использованием MOSFET в качестве входного этапа и транзистора биполярного соединения в качестве выходного этапа.

Ворота МОСФЕТА изолирована из остальной части устройства, что обеспечивает высоковольтную работу и повышенную надежность.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com