поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



IGBT датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'IGBT' - итог: 15 (1/1) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Agilent(Hewlett-Packard...
HCPL-3100 Datasheet pdf image
233Kb/10P
Power MOSFET/IGBT Gate Drive Optocouplers
HCPL-T251 Datasheet pdf image
177Kb/6P
0.4AMP OUTPUT CURRENT IGBT GATE DRIVE OPTOCOUPLER
HCPL-T250 Datasheet pdf image
364Kb/7P
1.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL-5120 Datasheet pdf image
194Kb/16P
2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL3140 Datasheet pdf image
249Kb/16P
0.4 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL-3120 Datasheet pdf image
253Kb/15P
2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL-3150 Datasheet pdf image
253Kb/15P
0.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL-314J Datasheet pdf image
420Kb/16P
0.4 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL-J314 Datasheet pdf image
418Kb/17P
0.4 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL-5150 Datasheet pdf image
193Kb/16P
0.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL3180 Datasheet pdf image
466Kb/19P
Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler
HCPL-315J Datasheet pdf image
488Kb/21P
0.5 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL3120 Datasheet pdf image
490Kb/18P
2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler
HCPL3160 Datasheet pdf image
156Kb/4P
2.0 Amp IGBT Gate Drive Optocoupler with Integrated Over-current Protection and Fault Feedback
HCPL-3160 Datasheet pdf image
145Kb/4P
2.0 Amp IGBT Gate Drive Optocoupler with Integrated Over-current Protection and Fault Feedback

1


1



Что такое IGBT


Биполярный транзистор с изолированным воротом (IGBT)-это тип мощного полупроводникового устройства, используемого для контроля высоковольтных, высокоточных применений, таких как в расходных материалах, двигательные диски и инверторы. Он сочетает в себе быструю скорость переключения транзистора биполярного соединения (BJT) с контролируемым напряжением затвор металлического оксидного транзистора поля (MOSFET).

IGBT работает с использованием MOSFET в качестве входного этапа и транзистора биполярного соединения в качестве выходного этапа.

Ворота МОСФЕТА изолирована из остальной части устройства, что обеспечивает высоковольтную работу и повышенную надежность.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com