поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



IGBT датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'IGBT' - итог: 31 (1/2) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Vincotech
V23990-P632-A-P1-14 Datasheet pdf image
243Kb/18P
IGBT FRED
V23990-P633-A-P1-19 Datasheet pdf image
60Kb/3P
IGBT FRED
V23990-P634-A-P1-14 Datasheet pdf image
228Kb/18P
IGBT FRED
V23990-P634-A-P1-19 Datasheet pdf image
67Kb/3P
IGBT FRED
V23990-P635-A-P1-19 Datasheet pdf image
62Kb/3P
IGBT FRED
V23990-P633-A-P1-14 Datasheet pdf image
227Kb/18P
IGBT FRED
V23990-P632-A-P1-19 Datasheet pdf image
55Kb/3P
IGBT FRED
V23990-P635-A-P1-14 Datasheet pdf image
235Kb/18P
IGBT FRED
V23990-P631-A-P1-19 Datasheet pdf image
57Kb/3P
igbt fred
V23990-P631-A-P1-14 Datasheet pdf image
230Kb/18P
Output inverter IGBT
10-PY124PA080FV-L589F88Y Datasheet pdf image
427Kb/7P
High speed IGBT
10-FZ122PA100SC-P999F08 Datasheet pdf image
1Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ122PA150SC01-P990F18 Datasheet pdf image
1Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ122PA150SC-P990F08 Datasheet pdf image
2Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ062PA075SA-P993F08 Datasheet pdf image
2Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ062PA150SA01-P995F18 Datasheet pdf image
2Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ062PA200SA01-P996F18 Datasheet pdf image
2Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ062PA075SA01-P993F18 Datasheet pdf image
2Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ062PA150SC-P995F08 Datasheet pdf image
2Mb/15P
Trench Fieldstop IGBT technology
10-FZ062PA100SA01-P994F18 Datasheet pdf image
344Kb/6P
Trench Fieldstop IGBT technology

1 2 >


1 2 >



Что такое IGBT


Биполярный транзистор с изолированным воротом (IGBT)-это тип мощного полупроводникового устройства, используемого для контроля высоковольтных, высокоточных применений, таких как в расходных материалах, двигательные диски и инверторы. Он сочетает в себе быструю скорость переключения транзистора биполярного соединения (BJT) с контролируемым напряжением затвор металлического оксидного транзистора поля (MOSFET).

IGBT работает с использованием MOSFET в качестве входного этапа и транзистора биполярного соединения в качестве выходного этапа.

Ворота МОСФЕТА изолирована из остальной части устройства, что обеспечивает высоковольтную работу и повышенную надежность.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com