поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



IGBT датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'IGBT' - итог: 23 (1/2) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Littelfuse
MG06300D-BN4MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
600V 300A IGBT Module
MG06100S-BR1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
600V 100A IGBT Module
MG12300D-BA1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
1200V 300A IGBT Module
MG06600WB-BN4MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
600V 600A IGBT Module
MG12300WB-BN2MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
1200V 300A IGBT Module
MG12200D-BA1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
1200V 200A IGBT Module
MG12150S-BN2MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
1200V 150A IGBT Module
MG12150D-BA1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
1200V 150A IGBT Module
MG1250S-BA1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
1200V 50A IGBT Module
MG1275S-BA1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
1200V 75A IGBT Module
MG0675S-BN4MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
600V 75A IGBT Module
MG12200D-BN2MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
1200V 200A IGBT Module
MG12100D-BA1MM Datasheet pdf image
1Mb/6P
1200V 100A IGBT Module
MG06100S-BN4MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
600V 100A IGBT Module
MG12225WB-BN2MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
1200V 225A IGBT Module
MG12100S-BN2MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
1200V 100A IGBT Module
MG12300D-BN2MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
MG12300D-BN2MM Series 300A Dual IGBT
MG06400D-BN4MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
MG06400D-BN4MM Series 400A Dual IGBT
MG06400D-BN1MM Datasheet pdf image
2Mb/6P
MG06400D-BN1MM Series 400A Dual IGBT
MG12300D-BN3MM Datasheet pdf image
1Mb/5P
MG12300D-BN3MM Series 300A Dual IGBT

1 2 >


1 2 >



Что такое IGBT


Биполярный транзистор с изолированным воротом (IGBT)-это тип мощного полупроводникового устройства, используемого для контроля высоковольтных, высокоточных применений, таких как в расходных материалах, двигательные диски и инверторы. Он сочетает в себе быструю скорость переключения транзистора биполярного соединения (BJT) с контролируемым напряжением затвор металлического оксидного транзистора поля (MOSFET).

IGBT работает с использованием MOSFET в качестве входного этапа и транзистора биполярного соединения в качестве выходного этапа.

Ворота МОСФЕТА изолирована из остальной части устройства, что обеспечивает высоковольтную работу и повышенную надежность.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com