Биполярный транзистор с изолированным воротом (IGBT)-это тип мощного полупроводникового устройства, используемого для контроля высоковольтных, высокоточных применений, таких как в расходных материалах, двигательные диски и инверторы. Он сочетает в себе быструю скорость переключения транзистора биполярного соединения (BJT) с контролируемым напряжением затвор металлического оксидного транзистора поля (MOSFET).
IGBT работает с использованием MOSFET в качестве входного этапа и транзистора биполярного соединения в качестве выходного этапа.
Ворота МОСФЕТА изолирована из остальной части устройства, что обеспечивает высоковольтную работу и повышенную надежность.
*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.
|
Russian ▼ 
English
Chinese
German
Japanese
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
