поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



JUNCTION датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'JUNCTION' - итог: 15 (1/1) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Microdiode Electronics ...
1SMA4728 Datasheet pdf image
923Kb/4P
Glass passivated junction
5KP36 Datasheet pdf image
78Kb/4P
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P4KE6.8 Datasheet pdf image
558Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P4KE6.8 Datasheet pdf image
602Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SA5.0A Datasheet pdf image
479Kb/3P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
5KP5.0 Datasheet pdf image
685Kb/4P
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1.5KE62 Datasheet pdf image
80Kb/4P
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR
P6KE6.8 Datasheet pdf image
646Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1.5KE6.8 Datasheet pdf image
841Kb/4P
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR
SA5.0 Datasheet pdf image
840Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
5KP5.0 Datasheet pdf image
838Kb/4P
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1.5KE6.8 Datasheet pdf image
599Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
DL5221B Datasheet pdf image
147Kb/3P
ZENER DIODES Voltage: 2.4-56V P e a k Pulse Power: 500mW Glass passivated junction
P4KE6.8 Datasheet pdf image
838Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Breakdown Voltage 6.8-440 Volts Peak Pulse Power400 Watts
P6KE6.8 Datasheet pdf image
839Kb/4P
GLASS PASSIVAED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Breakdown Voltage 6.8-440 Volts Peak Pulse Power 600 Watts

1


1



Что такое JUNCTION


Соединение в электронных компонентах означает P-N-соединение.

Пе-N-соединения используются в различных электронных компонентах и ​​являются одним из важных компонентов полупроводниковых устройств.

Пефект P-N выполняется путем соединения полупроводника P-типа и полупроводника N-типа. В настоящее время перекресток PN образуется в виде электронов и отверстий, которые объединяются вблизи соединения полупроводника P-типа и полупроводника N-типа.

В этом процессе поток заряда затруднен вблизи перехода P-N, чтобы сформировать область, где не течет тока, и различные электронные компоненты строятся с использованием этой области.

П-н-соединения играют важную роль в полупроводниковых устройствах.

Он используется в различных устройствах, таких как диоды и транзисторы, и используется для преобразования, управления и обработки электрических сигналов в электронных компонентах.

Кроме того, P-N-соединения также используются в солнечных элементах, которые играют важную роль в превращении солнечной энергии в электрическую энергию.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com