поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 241 (1/13) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
DONGGUAN YOU FENG WEI E...
15L65SP-TO277 Datasheet pdf image
825Kb/3P
Advanced trench technology
5S150 Datasheet pdf image
883Kb/3P
Trench Barrier Schottky Rectifier
3L40AF-SMAF Datasheet pdf image
2Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
TSR30L45CT Datasheet pdf image
938Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
TSR40L45CT Datasheet pdf image
970Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
3P40-DO Datasheet pdf image
2Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
5L100-DO Datasheet pdf image
809Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
6L60-DO Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
5L100AF-SMAF Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
6L45SB-SMBF Datasheet pdf image
926Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
6L60SB-SMBF Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
6L60SB-SMBF-TO277 Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
8A45SB-SMBF-TO277 Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
12L100-DO-201AD Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
10L100SB-SMBF Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
10L100SC-SMC-S Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
TSR10S150CT Datasheet pdf image
746Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
YFW5V45 Datasheet pdf image
1Mb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
YFW10L80 Datasheet pdf image
810Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
YFW15L80 Datasheet pdf image
692Kb/3P
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com