поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 127 (1/7) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
MagnaChip Semiconductor...
MBQ40T120FES Datasheet pdf image
1Mb/8P
High speed FieldStop Trench IGBT
MBQ25T120FESC Datasheet pdf image
1Mb/10P
High speed Fieldstop Trench IGBT
MDU1531 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDU1532S Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDV1542 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDV1545 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDS9651 Datasheet pdf image
1Mb/9P
Complementary N-P Channel Trench MOSFET
MDU1538 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDU1536 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDS9652E Datasheet pdf image
1Mb/9P
Complementary N-P Channel Trench MOSFET
MDU1535 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDV1548 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDU1531S Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MDV1545S Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MBQ60T65PES Datasheet pdf image
590Kb/8P
High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation
MDU5693 Datasheet pdf image
1Mb/9P
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V
MDU5593S Datasheet pdf image
1Mb/9P
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V
MDU5692S Datasheet pdf image
1Mb/9P
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V
MDU5512 Datasheet pdf image
2Mb/9P
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V
MDF1752 Datasheet pdf image
1Mb/6P
N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm)

1 2 3 4 5 6 7 >


1 2 3 4 5 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com