поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 42 (1/3) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
International Rectifier
IRF7328TRPBF Datasheet pdf image
175Kb/8P
Trench Technology
IRF7663TR Datasheet pdf image
82Kb/7P
Trench Technology
IRF7530TR Datasheet pdf image
105Kb/8P
Trench Technology
IRF7530TRPBF Datasheet pdf image
152Kb/8P
Trench Technology
IRF7241PBF Datasheet pdf image
176Kb/9P
Trench Technology
IRF7324TRPBF Datasheet pdf image
169Kb/8P
Trench Technology
IRF7607TRPBF Datasheet pdf image
149Kb/8P
Trench Technology
IRF7329TRPBF Datasheet pdf image
179Kb/9P
Trench Technology
IRGP4055DPBF Datasheet pdf image
263Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRG6B330UDPBF Datasheet pdf image
275Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRGI4085PBF Datasheet pdf image
768Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF Datasheet pdf image
317Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRGP4055PBF Datasheet pdf image
245Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
60CTTN015 Datasheet pdf image
74Kb/5P
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
IRG7IC28UPBF Datasheet pdf image
287Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
09/02/2010
IRG7R313UPBF Datasheet pdf image
242Kb/8P
PDP TRENCH IGBT
3/31/10
IRGP4065DPBF Datasheet pdf image
344Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRGI4065PBF Datasheet pdf image
321Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRG6S320UPBF Datasheet pdf image
292Kb/8P
PDP TRENCH IGBT
IRG7I313UPBF Datasheet pdf image
208Kb/7P
PDP TRENCH IGBT

1 2 3 >


1 2 3 >



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com