поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 18 (1/1) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Compact Technology Corp...
S30U100CT Datasheet pdf image
485Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S20U100FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40L100FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40U100FCT Datasheet pdf image
608Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40U100CT Datasheet pdf image
489Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S10U100FCT Datasheet pdf image
601Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S10U100CT Datasheet pdf image
482Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S20U100CT Datasheet pdf image
484Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S30U100FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40L100CT Datasheet pdf image
484Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S10U150CT Datasheet pdf image
484Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U150CT Datasheet pdf image
485Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S30U150CT Datasheet pdf image
489Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S10U150FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U150FCT Datasheet pdf image
604Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S30U150FCT Datasheet pdf image
608Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U200CT Datasheet pdf image
485Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U200FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky

1


1



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com