поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 8523 (9/427) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX353GB176HD Datasheet pdf image
892Kb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX101GD066HDS Datasheet pdf image
1,003Kb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX151GD126HDS Datasheet pdf image
335Kb/2P
Trench IGBT Modules
SEMIX201GD066HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX202GB066HD Datasheet pdf image
858Kb/4P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
IXYS Corporation
FMM140-004PL Datasheet pdf image
32Kb/2P
Trench Power MOSFET
Company Logo Img
International Rectifier
IRGI4065PBF Datasheet pdf image
321Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
Company Logo Img
Fairchild Semiconductor
FGL60N100BNTD Datasheet pdf image
682Kb/7P
NPT-Trench IGBT
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX404GB12E4S Datasheet pdf image
406Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX452GAR126HDS Datasheet pdf image
399Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX452GB176HD Datasheet pdf image
796Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM200GB126D Datasheet pdf image
676Kb/6P
Trench IGBT Modules
SEMIX151GD126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX71GD12T4S Datasheet pdf image
706Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX202GB12T4S Datasheet pdf image
722Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM100GB176D Datasheet pdf image
799Kb/6P
Trench IGBT Modules
SEMIX101GD126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX854GB176HDS Datasheet pdf image
1Mb/5P
Trench IGBT Modules
SKM145GAL176D Datasheet pdf image
105Kb/2P
Trench IGBT Modules
SEMIX302GB066HDS Datasheet pdf image
1,017Kb/5P
Trench IGBT Modules

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


<< < 6 7 8 9 10 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com