поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



D-S датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'D-S' - итог: 16 (1/1) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Vaishali Semiconductor
SI4356ADY Datasheet pdf image
143Kb/3P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4910DY Datasheet pdf image
251Kb/3P
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7674DP Datasheet pdf image
193Kb/3P
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7430DP Datasheet pdf image
170Kb/9P
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
SI7136DP Datasheet pdf image
228Kb/3P
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SUM110N03-04P Datasheet pdf image
176Kb/3P
N-Channel 30-V (D-S) 175째C MOSFET
SI8435DB Datasheet pdf image
194Kb/3P
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA911DJ Datasheet pdf image
121Kb/7P
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SUD19P06-60L Datasheet pdf image
182Kb/3P
P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SI3585DV Datasheet pdf image
67Kb/7P
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4569DY Datasheet pdf image
355Kb/4P
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7114DN Datasheet pdf image
222Kb/3P
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SUM40N05-19L Datasheet pdf image
69Kb/5P
N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
SI4567DY Datasheet pdf image
362Kb/4P
Dual N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4362BDY Datasheet pdf image
186Kb/3P
N-Channel 30-V (D-S) Reduced Qgd, Fast Switching WFET
SI6866DQ Datasheet pdf image
91Kb/5P
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

1


1



Что такое D-S


D-S является одним из терминов, обычно используемых в электронных компонентах.

D-S обозначает источник источника и используется в полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (металлический транзистор-результат-эффект-экземпляр).

MOSFET является одним из репрезентативных полупроводниковых устройств и используется для управления током в соответствии с напряжением.

МОСФЕТ имеет три булавки: ворота, дренаж и источник, среди которых D-S представляет расстояние между канализацией и источником.

Расстояние D-S является одним из факторов, которые оказывают важное влияние на характеристики MOSFET.

Увеличение этого расстояния меньше увеличивает прочность напряжения по всему устройству, что увеличивает скорость и производительность MOSFET.

Следовательно, расстояние D-S является одним из важных факторов, определяющих производительность MOSFET.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com