поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



DIFFUSED датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'DIFFUSED' - итог: 44 (1/3) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Panasonic Semiconductor
2SD772 Datasheet pdf image
212Kb/5P
SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SC3169 Datasheet pdf image
59Kb/1P
Si NPN Triple Diffused Planar
2SD1032 Datasheet pdf image
216Kb/5P
SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SD389 Datasheet pdf image
208Kb/5P
Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SD858 Datasheet pdf image
229Kb/5P
SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SD691 Datasheet pdf image
212Kb/5P
Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SC2415 Datasheet pdf image
219Kb/5P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA
2SD750 Datasheet pdf image
205Kb/4P
SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SC2414 Datasheet pdf image
236Kb/5P
Si NPN Triple Diffused Mesa
2SD917 Datasheet pdf image
91Kb/2P
SILICON TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
2SD334 Datasheet pdf image
251Kb/6P
SI NPN DIFFUSED JUCTION MESA
2SD803 Datasheet pdf image
280Kb/6P
SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA
2SD1325 Datasheet pdf image
345Kb/6P
SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR DARLINGTON
2SC3796 Datasheet pdf image
80Kb/1P
Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type
2SD1162 Datasheet pdf image
36Kb/1P
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR
2SD649 Datasheet pdf image
190Kb/4P
Si NPN Triple Diffused Junction Mesa
2SC3528 Datasheet pdf image
130Kb/3P
Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type
2SD1044 Datasheet pdf image
258Kb/6P
SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON
2SD1318 Datasheet pdf image
350Kb/6P
SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR DARLINGTON
2SC3527 Datasheet pdf image
68Kb/1P
Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type

1 2 3 >


1 2 3 >



Что такое DIFFUSED


В электронных компонентах «диффузированный» является термином, обычно используемым в процессе производства полупроводников.

В процессе производства полупроводников «диффундирует», как правило, относится к технологии, которая растворяет примеси в полупроводниковый материал и вызывает реакцию окисления для создания желаемого полупроводникового устройства.

Эти технологии являются одним из важных процессов в определении характеристик полупроводниковых устройств.

Например, в полупроводниковых устройствах с использованием кремния диффузия (технология, которая вызывает реакцию окисления путем примесей плавления), обычно используется для формирования соединения PN (положительное отрицательное соединение) внутри устройства.

Этот PN -соединение является одним из основных компонентов диодов, транзисторов и интегрированных цепей, используемых в различных электронных компонентах, и является важным фактором в определении электрических характеристик полупроводниковых устройств.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com