поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



DIFFUSED датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'DIFFUSED' - итог: 51 (1/3) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Siemens Semiconductor G...
LSS260 Datasheet pdf image
64Kb/7P
SOT-23 LED, Diffused
LUS250 Datasheet pdf image
441Kb/7P
SOT-23 MULTILED, Diffused
RP-12C Datasheet pdf image
33Kb/1P
mask-diffused gaasp led
LSG3351 Datasheet pdf image
332Kb/7P
3 mm (T1) MULTILED, Diffused
RM-81B Datasheet pdf image
54Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
RM-85D Datasheet pdf image
55Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
RM-15B Datasheet pdf image
37Kb/1P
mask-diffused gaasp monlithic led
LR3360 Datasheet pdf image
229Kb/8P
3 mm (T1) LED, Diffused
RM-64A Datasheet pdf image
42Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
RM-73A Datasheet pdf image
39Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
LSG3331 Datasheet pdf image
331Kb/7P
3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused
LRZ18X Datasheet pdf image
401Kb/7P
Array LED 2 mm LED, Diffused
LS3340 Datasheet pdf image
520Kb/8P
3 mm (T1) LED, Non Diffused
LSU260 Datasheet pdf image
376Kb/7P
Mini LED 1 mm LED, Diffused
LR5360 Datasheet pdf image
433Kb/8P
5 mm (T1 3/4) LED, Diffused
LSP380 Datasheet pdf image
270Kb/8P
Plane 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LR5460 Datasheet pdf image
430Kb/8P
5 mm (T1 3/4) LED, Diffused
LU5351 Datasheet pdf image
325Kb/7P
5 mm (T1 3/4) MULTILED , Diffused
LS5420 Datasheet pdf image
350Kb/7P
5 mm (T1 3/4) LED, Non Diffused
LSPP370 Datasheet pdf image
536Kb/9P
Plane MULTILED 3 mm T1 LED, Non Diffused

1 2 3 >


1 2 3 >



Что такое DIFFUSED


В электронных компонентах «диффузированный» является термином, обычно используемым в процессе производства полупроводников.

В процессе производства полупроводников «диффундирует», как правило, относится к технологии, которая растворяет примеси в полупроводниковый материал и вызывает реакцию окисления для создания желаемого полупроводникового устройства.

Эти технологии являются одним из важных процессов в определении характеристик полупроводниковых устройств.

Например, в полупроводниковых устройствах с использованием кремния диффузия (технология, которая вызывает реакцию окисления путем примесей плавления), обычно используется для формирования соединения PN (положительное отрицательное соединение) внутри устройства.

Этот PN -соединение является одним из основных компонентов диодов, транзисторов и интегрированных цепей, используемых в различных электронных компонентах, и является важным фактором в определении электрических характеристик полупроводниковых устройств.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com