поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



DIFFUSED датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'DIFFUSED' - итог: 311 (1/16) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Toshiba Semiconductor
1ZM27 Datasheet pdf image
134Kb/2P
Silicon Diffused Type
TTB001 Datasheet pdf image
203Kb/5P
Silicon PNP Diffused Type
2SA490 Datasheet pdf image
87Kb/2P
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
U10LC48 Datasheet pdf image
190Kb/4P
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
S5688N Datasheet pdf image
96Kb/3P
TOSHIBA Rectifier Silicon Diffused Type
2SC2793 Datasheet pdf image
211Kb/2P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SD641 Datasheet pdf image
92Kb/3P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SC5459 Datasheet pdf image
141Kb/4P
Silicon NPN Triple Diffused Type
CRG09A Datasheet pdf image
307Kb/7P
Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
1B4B41 Datasheet pdf image
44Kb/2P
SILICON DIFFUSED TYPE RECTIFIER STACK
2N3055 Datasheet pdf image
186Kb/2P
silicon NPN triple diffused type
2SD1408 Datasheet pdf image
105Kb/2P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SB1375 Datasheet pdf image
142Kb/5P
Silicon PNP Triple Diffused Type
0R8GU41 Datasheet pdf image
131Kb/3P
TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE
2SC6034 Datasheet pdf image
180Kb/5P
Silicon NPN Triple Diffused Type
CRG07 Datasheet pdf image
252Kb/4P
TOSHIBA Rectifier Silicon Diffused Type
CRG10A Datasheet pdf image
300Kb/7P
Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
SF10GZ47 Datasheet pdf image
293Kb/5P
TOSHIBA THYRISTOR SILICON DIFFUSED TYPE
2SA1265 Datasheet pdf image
94Kb/2P
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SC3182 Datasheet pdf image
91Kb/2P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Что такое DIFFUSED


В электронных компонентах «диффузированный» является термином, обычно используемым в процессе производства полупроводников.

В процессе производства полупроводников «диффундирует», как правило, относится к технологии, которая растворяет примеси в полупроводниковый материал и вызывает реакцию окисления для создания желаемого полупроводникового устройства.

Эти технологии являются одним из важных процессов в определении характеристик полупроводниковых устройств.

Например, в полупроводниковых устройствах с использованием кремния диффузия (технология, которая вызывает реакцию окисления путем примесей плавления), обычно используется для формирования соединения PN (положительное отрицательное соединение) внутри устройства.

Этот PN -соединение является одним из основных компонентов диодов, транзисторов и интегрированных цепей, используемых в различных электронных компонентах, и является важным фактором в определении электрических характеристик полупроводниковых устройств.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com