FIELD Datasheet(PDF) - 1-2823588-1

1 2 >

Что такое FIELD

Термин «поле» может использоваться во многих отношениях в области электроники. Ниже мы объясним некоторые из широко используемых значений.

Полевой транзистор (FET): Полевые транзисторы являются одним из важных компонентов в электронных компонентах. Электрические характеристики контролируются напряжением затвора и в основном используются в различных приложениях, таких как усилители, переключатели и логические схемы.

Полевой массив: структура, в которой несколько элементов расположены в соответствии с заранее определенным шаблоном. В конструкции электронных компонентов эти расположения могут использоваться для создания сложных систем путем объединения различных датчиков, устройств или элементов.

Магнитное поле: в области электронных компонентов магнитные поля играют важную роль во многих устройствах, таких как магнитные датчики, динамики и двигатели. Магнитные поля влияют на различные компоненты, которые работают с использованием тока или магнетизма.

Электрическое поле: При конструкции электронных компонентов электрические поля представляют электрические взаимодействия и влияют на различные факторы, связанные с передачей электрического сигнала.

Электромагнитное поле: концепция, используемая для описания принципов работы и характеристик электронных компонентов и электрических устройств. Он состоит из комбинации электрических и магнитных полей и играет важную роль во многих приложениях, связанных с радиоволнами или передачей сигнала.

FPGA (полевой программируемый массив Gate): FPGA-это программируемое цифровое логическое устройство, полупроводниковое устройство, которое позволяет пользователям настраивать и перепрограммировать цифровые схемы по мере необходимости.

Таким образом, термин «поле» представляет собой очень универсальный термин, представляющий различные концепции и приложения в области электронных компонентов. В зависимости от контекста можно определить конкретные значения.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM

Конфиденциальность

ALLDATASHEETRU.COM

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]
Что такое Аллдатащит \| реклама \| контакт \| Конфиденциальность \| обмен ссыками \| поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

производитель	номер детали	датащи	подробное описание детали
Tyco Electronics	1-2823588-1	2Mb/2P	FIELD INSTALLABLE CONNECTORS
	2061973-1	1Mb/1P	FullPROOF140 MINI FIELD INSTALL KIT
	2061926-1	990Kb/1P	FullFLEX MINI FIELD INSTALL KIT
	2061933-1	1Mb/1P	FullPOWER MINI FIELD INSTALL ASSEMBLY
	2-1374416-4	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HOUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	2-1374416-5	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	2-1374416-3	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HOUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	2-1374416-6	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HOUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	MAPLST0810-045CF	136Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
	MAPLST0810-090CF	138Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
	MAPLST1617-030CF	203Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1600 - 1700 MHz, 30W, 28V
	MAPLST1820-060CF	171Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1800 - 2000 MHz, 60W, 26V
	MAPLST2122-030CF	162Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
	MAPLST0810-090CF-05-2004	138Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
	MAPL-000817-015C00	246Kb/8P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800-1700 MHz, 15W, 26V
	MAPLST0822-002PP	259Kb/10P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800-2200 MHz, 2W, 28V
	MAPLST1900-060CF	234Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1890 - 1925 MHz, 60W, 26V
	MAPLST2122-060CF	172Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
	MAPLST0810-030CF-05-2004	137Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
	MAPLST0810-030CF	137Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V

FIELD датащи, PDF

Что такое FIELD

ссылки URL :