поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



IGBT датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'IGBT' - итог: 419 (1/21) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
STMicroelectronics
AN4544 Datasheet pdf image
2Mb/35P
IGBT datasheet tutorial
AN1944 Datasheet pdf image
688Kb/21P
Developing IGBT applications using an TD350 advanced IGBT driver
TD351 Datasheet pdf image
157Kb/12P
Advanced IGBT/MOSFET Driver
TD350 Datasheet pdf image
234Kb/17P
Advanced IGBT/MOSFET driver
TD352 Datasheet pdf image
241Kb/18P
Advanced IGBT/MOSFET driver
TD350 Datasheet pdf image
161Kb/11P
Advanced IGBT/MOSFET Driver
STGIPS10K60A2 Datasheet pdf image
535Kb/18P
Short-circuit rugged IGBT
April 2015 Rev 3
TD310 Datasheet pdf image
82Kb/9P
TRIPLE IGBT/MOS DRIVER
TD350E Datasheet pdf image
258Kb/17P
Advanced IGBT/MOSFET driver
TD351 Datasheet pdf image
249Kb/19P
Advanced IGBT/MOSFET driver
TD352 Datasheet pdf image
179Kb/13P
Advanced IGBT/MOSFET Driver
TD35 Datasheet pdf image
249Kb/19P
Advanced IGBT/MOSFET driver
June 2011 Rev 2
TD300 Datasheet pdf image
135Kb/8P
15V TRIPLE IGBT/MOS DRIVER
STGB19NC60S Datasheet pdf image
423Kb/15P
20 A, 600 V fast IGBT
November 2010 Rev 5
STGD10NC60SD Datasheet pdf image
1Mb/16P
10 A, 600 V fast IGBT
June 2010 Rev 2
STGW19NC60W Datasheet pdf image
234Kb/13P
19 A, 600 V - ultrafast IGBT
November 2016 Rev 4
L6353 Datasheet pdf image
91Kb/11P
SMART DRIVER FOR POWER MOS & IGBT
STGP30NC60S Datasheet pdf image
497Kb/15P
30 A, 600 V, fast IGBT
November 2010 Rev 5
STGP35HF60W Datasheet pdf image
776Kb/13P
35 A, 600 V Ultrafast IGBT
STGF35HF60W Datasheet pdf image
639Kb/17P
35 A, 600 V Ultrafast IGBT
July 2012 Rev 3

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Что такое IGBT


Биполярный транзистор с изолированным воротом (IGBT)-это тип мощного полупроводникового устройства, используемого для контроля высоковольтных, высокоточных применений, таких как в расходных материалах, двигательные диски и инверторы. Он сочетает в себе быструю скорость переключения транзистора биполярного соединения (BJT) с контролируемым напряжением затвор металлического оксидного транзистора поля (MOSFET).

IGBT работает с использованием MOSFET в качестве входного этапа и транзистора биполярного соединения в качестве выходного этапа.

Ворота МОСФЕТА изолирована из остальной части устройства, что обеспечивает высоковольтную работу и повышенную надежность.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com