поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



JUNCTION датащи, PDF

PACELEADER INDUSTRIAL(1)Pan Jit International Inc.(165)Panasonic Semiconductor(48)Pentair plc. All rights reserved.(1)Pepperl+Fuchs Inc.(10)PHOENIX CONTACT(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(4)Rectron Semiconductor(23)Renesas Technology Corp(73)RHOPOINT COMPONENTS(2)Samsung semiconductor(5)SAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.(1)Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd(5)Sanyo Semicon Device(59)Schneider Electric(3)SemiHow Co.,Ltd.(19)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(18)Shanghai Lunsure Electronic Tech(13)Shanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd(5)Shanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.(5)Shanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.(16)Shanghai Sunrise Electronics(3)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(5)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(48)Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd(102)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(13)Shenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.(13)Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd(26)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(9)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(2)SHIKUES Electronics(3)Siemens Semiconductor Group(7)Silicon Standard Corp.(1)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(39)Skyworks Solutions Inc.(66)Sony Corporation(2)StarHope(26)STI Vibration Monitoring Inc.(5)STMicroelectronics(11)SUNMATE electronic Co., LTD(8)Suntan Capacitors(2)Surge Components(5)SynSemi, Inc.(10)TAITRON Components Incorporated(1)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(24)Teledyne Technologies Incorporated(1)Texas Instruments(5)Texas Instruments(1)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(4)Toshiba Semiconductor(108)Transys Electronics(27)Tripp Lite. All Rights Reserved(7)Tyco Electronics(28)
More
Искомое ключевое слово : 'JUNCTION' - итог: 24 (1/2) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Taiwan Semiconductor Co...
ABS6-T Datasheet pdf image
240Kb/4P
Glass passivated junction
ABS4-K Datasheet pdf image
231Kb/4P
Glass passivated junction
1N4740A Datasheet pdf image
5Mb/5P
Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode
1N4741A Datasheet pdf image
86Kb/5P
Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode
1N4741A Datasheet pdf image
1Mb/5P
Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode
MBR20200PT Datasheet pdf image
103Kb/2P
Metal silicon junction, majority carrier conduction
1N4001GP Datasheet pdf image
55Kb/2P
1.0 AMP. Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers
GP10A Datasheet pdf image
75Kb/2P
1.0 AMP. Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers
GP15A Datasheet pdf image
65Kb/2P
1.5 AMPS. Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers
GP20A Datasheet pdf image
67Kb/2P
2.0 AMPS. Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers
GP30A Datasheet pdf image
65Kb/2P
3.0 AMPS. Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers
RGP10A Datasheet pdf image
67Kb/2P
1.0 AMP. Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers
2M6.8Z Datasheet pdf image
629Kb/4P
2.0 Watts Glass Passivated Junction Silicon Zener Diodes
1N4740A Datasheet pdf image
626Kb/5P
1.0 Watts Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode
2M11Z Datasheet pdf image
320Kb/4P
2.0 Watts Glass Passivated Junction Silicon Zener Diodes
2M6.8Z Datasheet pdf image
260Kb/6P
2.0 Watts Glass Passivated Junction Silicon Zener Diodes
MUR1605 Datasheet pdf image
321Kb/2P
16.0 Ampere Glass Passivated Junction Ultrafast Recovery Rectiflers
1N4740A Datasheet pdf image
279Kb/7P
1.0 Watt Glass Passivated Junction Silicon Zener Diodes
RGP30A Datasheet pdf image
68Kb/2P
3.0 AMPS. Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers
RGP15A Datasheet pdf image
68Kb/2P
1.5 AMPS. Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers

1 2 >


1 2 >



Что такое JUNCTION


Соединение в электронных компонентах означает P-N-соединение.

Пе-N-соединения используются в различных электронных компонентах и ​​являются одним из важных компонентов полупроводниковых устройств.

Пефект P-N выполняется путем соединения полупроводника P-типа и полупроводника N-типа. В настоящее время перекресток PN образуется в виде электронов и отверстий, которые объединяются вблизи соединения полупроводника P-типа и полупроводника N-типа.

В этом процессе поток заряда затруднен вблизи перехода P-N, чтобы сформировать область, где не течет тока, и различные электронные компоненты строятся с использованием этой области.

П-н-соединения играют важную роль в полупроводниковых устройствах.

Он используется в различных устройствах, таких как диоды и транзисторы, и используется для преобразования, управления и обработки электрических сигналов в электронных компонентах.

Кроме того, P-N-соединения также используются в солнечных элементах, которые играют важную роль в превращении солнечной энергии в электрическую энергию.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com