поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 78 (1/4) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
IXYS Corporation
ITF48IF1200HR Datasheet pdf image
408Kb/7P
Trench IGBT
FMM140-004PL Datasheet pdf image
32Kb/2P
Trench Power MOSFET
FMM200-004PL Datasheet pdf image
46Kb/2P
Trench Power MOSFET
FMM300-0055P Datasheet pdf image
46Kb/2P
Trench Power MOSFET
IXUC160N075 Datasheet pdf image
55Kb/2P
Trench Power MOSFET
FMM65-015P Datasheet pdf image
30Kb/2P
Trench Power MOSFET
FMM200-0075P Datasheet pdf image
116Kb/2P
Trench Power MOSFET
IXTP160N085T Datasheet pdf image
141Kb/5P
Trench Gate Power MOSFET
MWI150-12T8T Datasheet pdf image
222Kb/7P
Six-Pack Trench IGBT
IX112T06M-AG Datasheet pdf image
77Kb/2P
Trench XPT IGBT Chip
IXTQ180N055T Datasheet pdf image
117Kb/5P
Trench Gate Power MOSFET
IX150T06M-AG Datasheet pdf image
75Kb/2P
Trench XPT IGBT Chip
MKI80-06T6K Datasheet pdf image
225Kb/5P
H-Bridge Trench IGBT
MWI75-12T7T Datasheet pdf image
299Kb/6P
Six-Pack Trench IGBT
IXGA150N33TC Datasheet pdf image
199Kb/5P
Trench Gate High Speed
IXFV110N25T Datasheet pdf image
191Kb/5P
Trench Gate Power HiperFET
IXFH86N30T Datasheet pdf image
182Kb/6P
Trench HiperFET Power MOSFET
IXUC200N055 Datasheet pdf image
53Kb/2P
Trench Power MOSFET ISOPLUS220
MWI50-12T7T Datasheet pdf image
274Kb/7P
Six-Pack Trench IGBT
MWI75-12T8T Datasheet pdf image
338Kb/7P
Six-Pack Trench IGBT

1 2 3 4 >


1 2 3 4 >



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com