поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 110 (1/6) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Fairchild Semiconductor
FGL60N100BNTD Datasheet pdf image
682Kb/7P
NPT-Trench IGBT
FGA25N120ANTD Datasheet pdf image
658Kb/9P
1200V NPT Trench IGBT
FGA20N120FTD Datasheet pdf image
721Kb/9P
1200V, 20A Trench IGBT
FGA15N120ANTD Datasheet pdf image
2Mb/10P
1200V NPT Trench IGBT
FGA15N120ANTD Datasheet pdf image
843Kb/9P
1200V NPT Trench IGBT
FGH30N120FTDTU Datasheet pdf image
588Kb/9P
Field stop trench technology
FGA15N120ANTD Datasheet pdf image
938Kb/10P
1200V NPT Trench IGBT
FGL35N120FTD Datasheet pdf image
732Kb/9P
1200V, 35A Trench IGBT
FGA25N12ANTD Datasheet pdf image
861Kb/9P
1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTD Datasheet pdf image
867Kb/9P
1200V NPT Trench IGBT
FGA30N120FTD Datasheet pdf image
614Kb/9P
1200V, 30A Trench IGBT
FDT86244 Datasheet pdf image
239Kb/6P
N-Channel Power Trench MOSFET
FGD4536TM Datasheet pdf image
1Mb/8P
360 V PDP Trench IGBT
FGA180N33ATD Datasheet pdf image
655Kb/9P
330 V PDP Trench IGBT
FDD16AN08_F085 Datasheet pdf image
2Mb/11P
N-Channel UltraFET짰 Trench MOSFET
FDMC2674 Datasheet pdf image
334Kb/6P
N-Channel UltraFET Trench MOSFET
FGA180N33ATTU Datasheet pdf image
695Kb/8P
330V, 180A PDP Trench IGBT
FGA90N33ATDTU Datasheet pdf image
517Kb/9P
330V, 90A PDP Trench IGBT
FGPF30N45T Datasheet pdf image
538Kb/7P
450V, 30A PDP Trench IGBT
FGA90N33AT Datasheet pdf image
655Kb/8P
330V, 90A PDP Trench IGBT

1 2 3 4 5 6 >


1 2 3 4 5 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com