поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 53 (1/3) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
GOOD-ARK Electronics
HBRX2060CT Datasheet pdf image
323Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX4045CT Datasheet pdf image
405Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX20100CT Datasheet pdf image
312Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBR30150CT Datasheet pdf image
404Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX3045CT Datasheet pdf image
487Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX20120CT Datasheet pdf image
312Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRD20100S Datasheet pdf image
409Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX3060CT Datasheet pdf image
314Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX20300S Datasheet pdf image
380Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRF10100 Datasheet pdf image
248Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX3080S Datasheet pdf image
471Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX4060CT Datasheet pdf image
405Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX30120CT Datasheet pdf image
366Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX30150CT Datasheet pdf image
404Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX1060CT Datasheet pdf image
465Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX2060CT Datasheet pdf image
311Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX20150CT Datasheet pdf image
312Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX1045CT Datasheet pdf image
465Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
HBRX40150CT Datasheet pdf image
404Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier
SBRX1080CT Datasheet pdf image
467Kb/4P
Trench Schottky Barrier Rectifier

1 2 3 >


1 2 3 >



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com