поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 78 (1/4) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Silikron Semiconductor ...
SSF1122D Datasheet pdf image
627Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF6010A Datasheet pdf image
449Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF6014A Datasheet pdf image
486Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF7504 Datasheet pdf image
433Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF6808A Datasheet pdf image
466Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF3014 Datasheet pdf image
298Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF3022 Datasheet pdf image
339Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF1122 Datasheet pdf image
627Kb/5P
Advanced trench process technology
SSFD6046 Datasheet pdf image
1Mb/4P
Advanced trench process technology
SSF1030D Datasheet pdf image
832Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF6814 Datasheet pdf image
474Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF7504A Datasheet pdf image
403Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF3018 Datasheet pdf image
338Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF3022D Datasheet pdf image
330Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF3018D Datasheet pdf image
345Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF1030B Datasheet pdf image
396Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF1116 Datasheet pdf image
1Mb/5P
Advanced trench process technology
SSF1016D Datasheet pdf image
857Kb/5P
Advanced trench process technology
SSF4006 Datasheet pdf image
276Kb/4P
Advanced trench process technology
SSF1090 Datasheet pdf image
515Kb/5P
Advanced trench process technology

1 2 3 4 >


1 2 3 4 >



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com