поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 56 (1/3) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
SemiHow Co.,Ltd.
HIH25N120TN Datasheet pdf image
870Kb/8P
1200V NPT Trench IGBT
HRP39N06K Datasheet pdf image
951Kb/8P
60V N-Channel Trench MOSFET
HRP120N10K Datasheet pdf image
1Mb/8P
100V N-Channel Trench MOSFET
HRS72N10K Datasheet pdf image
1Mb/7P
100V N-Channel Trench MOSFET
HRW82N10K Datasheet pdf image
884Kb/6P
100V N-Channel Trench MOSFET
HRS45N08K Datasheet pdf image
897Kb/7P
80V N-Channel Trench MOSFET
HRS90N75K Datasheet pdf image
916Kb/7P
75V N-Channel Trench MOSFET
HRLP120N10H Datasheet pdf image
491Kb/7P
100V N-Channel Trench MOSFET
HRP49N10H Datasheet pdf image
454Kb/7P
100V N-Channel Trench MOSFET
HIL40N120TF Datasheet pdf image
909Kb/8P
1200V Field Stop Trench IGBT
HRS75N75V Datasheet pdf image
204Kb/7P
70V N-Channel Trench MOSFET
HRLF43N06H Datasheet pdf image
538Kb/7P
60V N-Channel Trench MOSFET
HRLO60N06H Datasheet pdf image
574Kb/8P
60V N-Channel Trench MOSFET
HIL40N120VF Datasheet pdf image
851Kb/8P
1200V Field Stop Trench IGBT
HRS370N10K Datasheet pdf image
946Kb/7P
60V N-Channel Trench MOSFET
HGA40N120FV Datasheet pdf image
774Kb/8P
1200V Field Stop Trench Technology
HRP45N06K Datasheet pdf image
1Mb/8P
60V N-Channel Trench MOSFET
HRP58N06K Datasheet pdf image
891Kb/8P
60V N-Channel Trench MOSFET
HRP70N06K Datasheet pdf image
853Kb/8P
60V N-Channel Trench MOSFET
HRP75N07V Datasheet pdf image
217Kb/8P
70V N-Channel Trench MOSFET

1 2 3 >


1 2 3 >



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com