поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 19 (1/1) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Microdiode Electronics ...
ST540L Datasheet pdf image
184Kb/2P
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST340L Datasheet pdf image
350Kb/2P
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34BF Datasheet pdf image
214Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34F Datasheet pdf image
203Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54BF Datasheet pdf image
286Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54A Datasheet pdf image
846Kb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34C Datasheet pdf image
210Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34A Datasheet pdf image
841Kb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54B Datasheet pdf image
854Kb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34C Datasheet pdf image
922Kb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34B Datasheet pdf image
212Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54F Datasheet pdf image
203Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34A Datasheet pdf image
201Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54BF Datasheet pdf image
980Kb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54A Datasheet pdf image
201Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54B Datasheet pdf image
284Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST54C Datasheet pdf image
220Kb/2P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34BF Datasheet pdf image
1Mb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
ST34B Datasheet pdf image
959Kb/3P
SURFACE MOUNT TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER

1


1



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com