поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 8523 (3/427) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX452GB126HDS Datasheet pdf image
360Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM195GB066D Datasheet pdf image
823Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKIM406GD066HD Datasheet pdf image
324Kb/5P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
International Rectifier
IRGP4055DPBF Datasheet pdf image
263Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX252GB126HDS Datasheet pdf image
359Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX303GB12E4S Datasheet pdf image
376Kb/6P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
International Rectifier
IRG6B330UDPBF Datasheet pdf image
275Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX302GB176HD Datasheet pdf image
801Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX653GB176HDS Datasheet pdf image
1Mb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX353GB176HDS Datasheet pdf image
1Mb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX703GD126HDC Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX151GD12E4S Datasheet pdf image
316Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX353GD126HDC Datasheet pdf image
319Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX402GAR066HDS Datasheet pdf image
693Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12E4C Datasheet pdf image
315Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HDS Datasheet pdf image
703Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX603GB066HDS Datasheet pdf image
702Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM600GB126D Datasheet pdf image
661Kb/6P
Trench IGBT Module
SKM800GA126D Datasheet pdf image
591Kb/6P
Trench IGBT Modules
SEMIX402GB066HDS Datasheet pdf image
371Kb/5P
Trench IGBT Modules

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


< 1 2 3 4 5 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com