поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 8523 (6/427) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX251GD126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SKM300GB066D Datasheet pdf image
856Kb/6P
Trench IGBT Modules
SEMIX302GB066HD Datasheet pdf image
882Kb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX604GB176HDS Datasheet pdf image
1Mb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX253GB176HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX452GB176HDS Datasheet pdf image
1,022Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX302GB126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX202GB066HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX603GB066HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SKM600GA176D Datasheet pdf image
860Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX201GD066HDS Datasheet pdf image
992Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX402GB066HD Datasheet pdf image
1Mb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX452GB126HDS Datasheet pdf image
1Mb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX604GB126HD Datasheet pdf image
814Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX151GB12T4S Datasheet pdf image
463Kb/5P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
International Rectifier
IRGI4085PBF Datasheet pdf image
768Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF Datasheet pdf image
317Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
IRGP4055PBF Datasheet pdf image
245Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
60CTTN015 Datasheet pdf image
74Kb/5P
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
Company Logo Img
Sanken electric
FMET-22010 Datasheet pdf image
350Kb/6P
Trench Schottky Diode

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


<< < 6 7 8 9 10 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com