поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  



TRENCH датащи, PDF

Искомое ключевое слово : 'TRENCH' - итог: 8523 (7/427) Pages
производительномер деталидатащиподробное описание детали
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX151GAR12E4S Datasheet pdf image
458Kb/5P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
International Rectifier
IRG7IC28UPBF Datasheet pdf image
287Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
09/02/2010
Company Logo Img
Guangdong Kexin Industr...
AO4611 Datasheet pdf image
1Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4613-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4614A Datasheet pdf image
2Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4614B Datasheet pdf image
1Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4616-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4622 Datasheet pdf image
1Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4627-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO6604-HF Datasheet pdf image
4Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
Company Logo Img
International Rectifier
IRG7R313UPBF Datasheet pdf image
242Kb/8P
PDP TRENCH IGBT
3/31/10
IRGP4065DPBF Datasheet pdf image
344Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
Company Logo Img
Semikron International
SKM400GB126D Datasheet pdf image
599Kb/6P
Trench IGBT Module
SKM800GA126D Datasheet pdf image
603Kb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX251GD126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX253GB126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX703GB126HD Datasheet pdf image
942Kb/4P
Trench IGBT Modules
SKM200GB123D Datasheet pdf image
647Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM800GA126D Datasheet pdf image
597Kb/6P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
Guangdong Kexin Industr...
AO6601-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


<< < 6 7 8 9 10 > >>



Что такое TRENCH


«Транч» является одной из технологий производства электронных компонентов и используется в процессе создания полупроводниковых устройств.

Trench Technology - это технология, разработанная для улучшения электрических характеристик полупроводниковых устройств.

Технология траншеи перепроектирует структуру полупроводниковых устройств для улучшения генерации тепла и ухудшения производительности устройства.

При технологии траншеи небольшая яма (траншея) может быть вырыт внутри полупроводникового устройства, чтобы увеличить площадь поверхности устройства.

Это улучшает электрические характеристики, потому что путь, через который течет ток, короче.

Технология траншеи в основном используется в высокопроизводительных полупроводниковых устройствах, таких как MOSFET (транзисторы полупроводникового эффекта оксида металла).

Эти полупроводниковые устройства используются в высокоскоростных электронных схемах, устройствах преобразования питания и автомобильных устройствах управления.

Технология траншеи играет очень важную роль в современной электронной компонентной промышленности, поскольку она повышает производительность и эффективность устройства.

*Эта информация предназначена только для общих информационных целей, мы не несем ответственности за любые убытки или ущерб, вызванные вышеуказанной информацией.


ссылки URL :

Конфиденциальность
ALLDATASHEETRU.COM
Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com